IPD135N08N3G სრულიად ახალი ინტეგრირებული ჩართვა
პროდუქტის ატრიბუტები
| TYPE | აღწერა |
| კატეგორია | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები |
| მფრ | Infineon ტექნოლოგიები |
| სერიალი | OptiMOS™ |
| პაკეტი | ლენტი და რგოლი (TR) |
| პროდუქტის სტატუსი | მოძველებული |
| FET ტიპი | N-არხი |
| ტექნიკა | MOSFET (მეტალის ოქსიდი) |
| გადინება წყაროს ძაბვამდე (Vdss) | 80 ვ |
| დენი – უწყვეტი გადინება (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართული, მინიმალური Rds ჩართული) | 6V, 10V |
| Rds ჩართულია (მაქს) @ ID, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5 V @ 33 μA |
| კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 25 nC @ 10 ვ |
| Vgs (მაქს) | ± 20 ვ |
| შეყვანის ტევადობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1730 pF @ 40 ვ |
| FET ფუნქცია | - |
| დენის გაფრქვევა (მაქს) | 79 W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | ზედაპირული მთა |
| მომწოდებლის მოწყობილობის პაკეტი | PG-TO252-3 |
| პაკეტი / ქეისი | TO-252-3, DPak (2 წამყვანი + ჩანართი), SC-63 |
| საბაზისო პროდუქტის ნომერი | IPD135N |
დოკუმენტები და მედია
| რესურსის ტიპი | ᲑᲛᲣᲚᲘ |
| მონაცემთა ცხრილები | IPD135N08N3G |
| სხვა დაკავშირებული დოკუმენტები | ნაწილის ნომრის სახელმძღვანელო |
| გამორჩეული პროდუქტი | მონაცემთა დამუშავების სისტემები |
| HTML მონაცემთა ცხრილი | IPD135N08N3G |
გარემოსდაცვითი და ექსპორტის კლასიფიკაციები
| ატრიბუტი | აღწერა |
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | 1 (შეუზღუდავი) |
| REACH სტატუსი | REACH არ იმოქმედებს |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Დამატებითი რესურსები
| ატრიბუტი | აღწერა |
| Სხვა სახელები | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 გ IPD135N08N3 G-ND |
| სტანდარტული პაკეტი | 2500 |
ტრანზისტორი არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც ჩვეულებრივ გამოიყენება გამაძლიერებლებში ან ელექტრონულად კონტროლირებად გადამრთველებში.ტრანზისტორები არის ძირითადი სამშენებლო ბლოკები, რომლებიც არეგულირებენ კომპიუტერების, მობილური ტელეფონების და ყველა სხვა თანამედროვე ელექტრონული სქემის მუშაობას.
სწრაფი რეაგირების სიჩქარისა და მაღალი სიზუსტის გამო, ტრანზისტორები შეიძლება გამოყენებულ იქნას ციფრული და ანალოგური ფუნქციების ფართო სპექტრისთვის, მათ შორის გამაძლიერებელი, გადართვა, ძაბვის რეგულატორი, სიგნალის მოდულაცია და ოსცილატორი.ტრანზისტორები შეიძლება შეფუთული იყოს ინდივიდუალურად ან ძალიან მცირე ფართობზე, რომელშიც იტევს 100 მილიონი ან მეტი ტრანზისტორი, როგორც ინტეგრირებული მიკროსქემის ნაწილი.
ელექტრონულ მილთან შედარებით, ტრანზისტორს ბევრი უპირატესობა აქვს:
კომპონენტს არ აქვს მოხმარება
რაც არ უნდა კარგი იყოს მილი, ის თანდათან გაუარესდება კათოდის ატომების ცვლილებისა და ჰაერის ქრონიკული გაჟონვის გამო.ტექნიკური მიზეზების გამო, ტრანზისტორებს იგივე პრობლემა ჰქონდათ, როდესაც ისინი პირველად დამზადდნენ.მასალების მიღწევით და მრავალი ასპექტის გაუმჯობესებით, ტრანზისტორები, როგორც წესი, 100-დან 1000-ჯერ მეტხანს ძლებენ, ვიდრე ელექტრონული მილები.
მოიხმარეთ ძალიან ცოტა ენერგია
ეს არის მხოლოდ ერთი ელექტრონული მილის მეათედი ან ათეული.მას არ სჭირდება ძაფის გაცხელება ელექტრონული მილის მსგავსად თავისუფალი ელექტრონების წარმოებისთვის.ტრანზისტორი რადიოს სჭირდება მხოლოდ რამდენიმე მშრალი ბატარეა წელიწადში ექვსი თვის განმავლობაში მოსასმენად, რაც ძნელია მილის რადიოსთვის.
არ არის საჭირო წინასწარ გათბობა
იმუშავეთ როგორც კი ჩართავთ.მაგალითად, ტრანზისტორი რადიო ითიშება ჩართვისთანავე, ხოლო ტრანზისტორი ტელევიზორი აყალიბებს სურათს ჩართვისთანავე.ვაკუუმური მილის მოწყობილობას არ შეუძლია ამის გაკეთება.ჩატვირთვის შემდეგ, დაელოდეთ ხმის გაგონებას, ნახეთ სურათი.ცხადია, სამხედრო, გაზომვის, ჩაწერის და ა.შ. ტრანზისტორები ძალიან ხელსაყრელია.
ძლიერი და საიმედო
ელექტრონულ მილზე 100-ჯერ უფრო საიმედო, დარტყმის წინააღმდეგობა, ვიბრაციის წინააღმდეგობა, რომელიც შეუდარებელია ელექტრონულ მილთან.გარდა ამისა, ტრანზისტორის ზომა არის ელექტრონული მილის ზომის მხოლოდ მეათედიდან მეასედამდე, ძალიან მცირე სითბოს გამოყოფა, შეიძლება გამოყენებულ იქნას მცირე, რთული, საიმედო სქემების შესაქმნელად.მიუხედავად იმისა, რომ ტრანზისტორის წარმოების პროცესი ზუსტია, პროცესი მარტივია, რაც ხელს უწყობს კომპონენტების დამონტაჟების სიმკვრივის გაუმჯობესებას.
