ორიგინალი ახალი IC ჩიპი WQFN-64 DS90UB948TNKDRQ1 ელექტრონიკის კომპონენტები ერთი ადგილზე ყიდვა

რატომ გამოიყენება მონოკრისტალური სილიციუმი ჩიპების წარმოებისთვის?
ავტორი: harry4112
ლინკი: https://www.zhihu.com/question/515054180/answer/2337519553
წყარო: ჟიჰუ
საავტორო უფლება ეკუთვნის ავტორს.გთხოვთ, დაუკავშირდეთ ავტორს კომერციული ხელახალი ბეჭდვის ავტორიზაციისთვის და მიუთითოთ წყარო არაკომერციული ბეჭდვისთვის.

რატომ სჭირდება მავთულს პლასტიკური ტყავი?შიშველი სპილენძის მავთულის გამოყენება არ შეიძლება?იმის გამო, რომ პლასტიკური ტყავის გარეშე მათ გამიჯვნა, მავთული ადვილად ატარებს ელექტროენერგიას, როდესაც ის ეხება სხვა ნივთიერებებს და ვერ გადასცემს დენს, ან რა მოხდება, თუ ის ძლიერია და ვინმეს ელექტროშოკი მოაქვს?რა მოხდება, თუ მეტი არაგამტარი მავთული უნდა იყოს დამზადებული პლასტმასისგან?აბსოლიტურად არა, ადრეულ მავთულს აქვს შეფუთული თეთრეული, ფუნჯის ტუნგის ზეთი (ახლა კი მინანქრის მავთული), კონკრეტულ ადგილებში, ღირებულების გათვალისწინებით, ელექტროენერგიის იზოლირების შესაძლებლობის გათვალისწინებით და ა.შ., ან თუ გინდათ, შეგიძლიათ გამოიყენოთ სილიკონი , სილიციუმის დიოქსიდი იზოლაციისთვის, რა თქმა უნდა, ეს ორი ძალიან მყიფე მყარი მასალაა, შესაფერისია მხოლოდ წარმოებული, არასოდეს შედარებით მობილური მავთულისთვის, რომელიც სწორედ ამ სცენის ჩიპის შიდა მავთულისთვისაა შესაფერისი.

ზემოაღნიშნული შესაძლებელია სილიციუმის და სილიციუმის დიოქსიდით ჩიპების მავთულის იზოლაციისთვის.დიახ, ჩიპებში სილიკონის სუბსტრატების ერთ-ერთი ყველაზე დიდი გამოყენება არის იზოლაციისთვის, ისევე როგორც პლასტმასის ტყავის გამოყენება მავთულხლართებისთვის, მხოლოდ საპირისპიროდ წარმოებული.მავთულს აქვს შიშველი სპილენძის მავთულები, სანამ ისინი პლასტმასის ტყავითაა მოხატული;ჩიპებს აქვთ არსებული სილიკონის საიზოლაციო ტყავი, სანამ ისინი არ დაიდება (მოოქროვილი) შიშველი სპილენძის მავთულებით.

რატომ ერთკრისტალური სილიკონი?ორი მიზეზი, უპირველეს ყოვლისა, ის უნდა იყოს ძალიან სუფთა, წინააღმდეგ შემთხვევაში ის არ იქნება იზოლირებული მონაწილე გამტარობის გამო და არ უზრუნველყოფს კონკრეტულ წინასწარ მასალას ნახევარგამტარული შეერთების შემდგომი თაობისთვის.ეს სრულიად გასაგებია, არა?გსურთ გააკეთოთ PN შეერთება გარკვეულ ადგილას, მაგრამ შემდეგ უკვე არის რამდენიმე არეული ფოსფორის ატომები ამ ადგილას და ის უკვე არის N- ტიპის სტრუქტურა, ასე რომ გსურთ მისი შეცვლა P-ტიპზე?მარტივია სუფთადან ჰეტეროგენამდე გადასვლა, მაგრამ ძალიან რთულია ჰეტეროგენიდან სუფთაზე გადასვლა, ამიტომ დაიწყებთ მაღალი სისუფთავის სილიკონით.რატომ არ შეიძლება ეს იყოს პოლიკრისტალური სილიკონი?ეს დაკავშირებულია PN კვანძების წარმოქმნასთან (შეიძლება არსებობდეს სხვა დიზაინებიც, რომლებიც წარმოდგენილია PN-ით).ეს იმიტომ ხდება, რომ PN შეერთებები ძალიან მცირეა ინტერკალაციის პროცესისთვის და შედეგად მიღებული მიკროსქემის მახასიათებლები, რომლებიც მოითხოვს დიზაინის მოთხოვნებთან 100% შესაბამისობას, ზუსტად არის დამოწმებული, თუ არ არის გისოსების დეფექტები, რამდენი "მინარევებია" შერეული და რა ელ. მიიღება მახასიათებლები.

სადაც არის გისოსების დეფექტები, ეს სულაც არ არის ასე.პოლისილიკონის გისოსების დეფექტები საძირკველში არსებული ორმოების მსგავსია და ისინი ძალიან დიდია, ამიტომ ასფალტის დაგებისას ელექტრული რეაქცია არ არის იგივე, რაც სხვაგან.ხდება 1!ეს წრიული ლოგიკა მაინც სწორია?გაფართოებით, შეიძლება თუ არა სხვა მასალების გამოყენება?შეიძლება თუ არა პოლიკრისტალური გამოყენება?სხვა აპლიკაციებში, ან სადაც ეს არც ისე დელიკატურია (ძლიერი ძალა, არასუსტი ლოგიკა), შესაძლებელია ან მიმდინარეობს გამოძიება.მაგალითად, სილიციუმი უკიდურესად დოპირებულია ზოგიერთ ულტრა მაღალი სიხშირის, ულტრა დაბალი ძაბვის, ულტრა მაღალი დენის სიტუაციებში, არ არის ძალიან შესაფერისი, შემდეგ არის სხვა სპეციალური სილიკონის გერმანიუმი, გალიუმი და სხვა საცნობარო მასალები და სუბსტრატიც კი. ჩიპი, მზის პანელები, რადგან მთავარია ძლიერი ელექტროენერგიის მიწოდება, არც ისე აწუხებს ძაბვის სხვაობა ასე ცოტა, რა თქმა უნდა, არის ფასი, მათი უმეტესობა პოლიკრისტალური სილიკონია.რაც შეეხება სხვა მასალებს, სილიციუმი ხომ ყველგანაა და მხოლოდ გაწმენდა სჭირდება.სხვა ნივთები, რომელთა პოვნაც ძნელია, ასევე უნდა განიწმინდოს.